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元件参数资料
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参数目录42393
> PHP18NQ11T,127 MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
型号:
PHP18NQ11T,127
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHP18NQ11T,127 PDF
标准包装
50
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
110V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
633pF @ 25V
功率 - 最大
79W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
568-5755
934058144127
PHP18NQ11T
PHP18NQ11T,127-ND
PHP18NQ11T-ND
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